在現(xiàn)有技術(shù)中，單晶爐是在惰性氣體(主要是氮?dú)夂秃?環(huán)境中通過石墨加熱器熔化多晶硅材料并通過直拉法生長無位錯(cuò)單晶的裝置。將多晶硅加熱熔化，待硅完全熔化后，通過浸籽、焊接、引晶、定肩、轉(zhuǎn)肩、等徑和修整步驟拉制單晶棒。目前單晶拉制過程中，加熱器上邊緣到導(dǎo)流管下邊緣的高度h對單晶拉制影響很大，會影響單晶的成品率。籽晶浸入前，導(dǎo)流管會隨水冷屏一起下降，但達(dá)到一定高度后不能繼續(xù)下降。可以看出，熱場設(shè)計(jì)一旦完成，加熱器上邊緣到導(dǎo)流管下邊緣的高度是固定的，不利于后續(xù)工藝和熱場優(yōu)化，影響單晶的成品率。