機械剝離法是運用物體與石墨烯之間的沖突和相對運動，得到石墨烯薄層資料的辦法。這種辦法操作簡略，得到的石墨烯一般保持著完好的晶體結構。2004年，英國兩位科學運用通明膠帶對天然石墨進行層層剝離獲得石墨烯的辦法，也歸為機械剝離法，這種辦法一度被認為出產效率低，無法工業化量產。 這種辦法能夠制備微米大小的石墨烯，可是其可控性較低，完畢大規模組成有必定的困難。
       2016年，我國科學家發明了一種簡略高效的綠色剝離技術，通過"球-微球"間柔軟的翻滾轉移工藝完畢了少層石墨烯(層數3.8±1.9)的規模化制備。
       氧化康復法是通過運用硫酸、硝酸等化學試劑及高錳酸鉀、雙氧水等氧化劑將天然石墨氧化，增大石墨層之間的距離，在石墨層與層之間刺進氧化物，制得氧化石墨(Graphite Oxide)。然后將反響物進行水洗，并對洗凈后的固體進行低溫干燥，制得氧化石墨粉體。通過物理剝離、高溫脹大等辦法對氧化石墨粉體進行剝離，制得氧化石墨烯。畢竟通過化學法將氧化石墨烯康復，得到石墨烯(RGO)。這種辦法操作簡略，產值高，可是產質量量較低。氧化康復法運用硫酸、硝酸等強酸，存在較大的危險性，又須運用許多的水進行清洗，帶大較大的環境污染。
       運用氧化康復法制備的石墨烯，含有較豐厚的含氧官能團，易于改性。但由于在對氧化石墨烯進行康復時，較難控制康復后石墨烯的氧含量，同時氧化石墨烯在陽光照射、運送時車廂內高溫等外界每件影響下會不斷的康復，因而氧化康復法出產的石墨烯逐批產品的質量往往不一致，難以控制質量。
       取向附生法是運用成長基質原子結構"種"出石墨烯，首先讓碳原子在1150℃下進入釕，然后冷卻，冷卻到850℃后，之前吸收的許多碳原子就會浮到釕表面，畢竟鏡片形狀的單層的碳原子會長成完好的一層石墨烯。第一層掩蓋后，第二層開始成長。底層的石墨烯會與釕產生劇烈的相互作用，而第二層后就幾乎與釕完全分別，只剩下弱電耦合。但選用這種辦法出產的石墨烯薄片往往厚度不均勻，且石墨烯和基質之間的黏合會影響碳層的特性。
       SiC外延法是通過在超高真空的高溫環境下，使硅原子進步脫離資料，剩下的C原子通過自組方式重構，然后得到基于SiC襯底的石墨烯。這種辦法能夠獲得高質量的石墨烯，可是這種辦法對設備要求較高。
       通過Hummer法制備氧化石墨;將氧化石墨放入水中超聲松懈，構成均勻松懈、質量濃度為0.25g/L~1g/L的氧化石墨烯溶液，再向所述的氧化石墨烯溶液中滴加質量濃度為28%的氨水;將康復劑溶于水中，構成質量濃度為0.25g/L~2g/L的水溶液;將制造的氧化石墨烯溶液和康復劑水溶液混合均勻，將所得混合溶液置于油浴條件下攪拌，反響完畢后，將混合物過濾洗刷、烘干后得到石墨烯。
       化學氣相堆積法即(CVD)是運用含碳有機氣體為材料進行氣相堆積制得石墨烯薄膜的辦法。這是出產石墨烯薄膜最有用的辦法。這種辦法制備的石墨烯具有面積大和質量高的特征，但現階段本錢較高，工藝條件還需進一步完善。由于石墨烯薄膜的厚度很薄，因而大面積的石墨烯薄膜無法獨自運用，有必要附著在微觀器件中才有運用價值，例如觸摸屏、加熱器件等。
       低壓氣相堆積法是部分學者運用的，其將單層石墨烯在Ir表面上生成，通過進一步研討可知，這種石墨烯結構能夠跨越金屬臺階，連續性的和微米標準的單層碳結構逐漸在Ir表面上構成。 毫米量級的單晶石墨烯是運用表面偏析的辦法得到的。厘米量級的石墨烯和在多晶Ni薄膜上外延成長石墨烯是由部分學者發現的，在1000℃下加熱300納米厚的Ni 膜表面，同時在CH4氣氛中進行暴露，通過一段時間的反響后，大面積的少數層石墨烯薄膜會在金屬表面構成。